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| Ultra Durable™ 5 - El mejor diseño de potencia para CPUs del mercado. |
Nuestras mejores placas Ultra Durable™ hasta la fecha.
De nuevo GIGABYTE eleva el listón de calidad y durabilidad para placas base con lo último de su tecnología Ultra Durable™ 5, que incluye diversos componentes especiales para soportar corrientes altas que proporcionan un suministro de potencia a la CPU de la mayor calidad para obtener así un rendimiento récord, un funcionamiento más eficiente a menor temperatura y una mayor esperanza de vida para las placas.
IR3550 PowIRstage®
La más premiada y valorada etapa de potencia de la industria.
• Suministra potencia hasta 60A, al tiempo que mantiene bajas temperaturas de funcionamiento.
• Pareja perfecta: Las placas base GIGABYTE Ultra Durable™ 5 utilizan controladores digitales y chips PowIRstage®, ambos de IR, para formar un sistema de suministro de potencia excepcionalmente fluido.
• Pico de eficiencia de hasta el 95%, líder del mercado.
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2X Copper en el PCB
Proporciona suficientes pistas de potencia entre los componentes para ser capaz de absorber cargas excepcionales asociadas al overclocking y para extraer calor de la zona de potencia de la CPU.
Bobinas de choke de alta capacidad con núcleo de ferrita
Homologadas hasta 60A para proporcionar el suministro de potencia más estable.
* Las especificaciones reales de los componentes pueden variar según el modelo.
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Todo Potencia, por dentro y por fuera. |
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Las placas Ultra Durable™ 5 de GIGABYTE utilizan los chips IR3550 PowIRstage® , que incluyen la homologación más alta de la industria para 60A, con menores pérdidas, mayor eficiencia y una excelente gestión térmica.
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En lugar de conexiones de cable, el layout y el encapsulado utilizan pistas de cobre para toda la parte de potencia, lo que reduce las pérdidas debidas a la resistividad e inductancia que introducen dichas conexiones, que a su vez provocan sobreoscilaciones y altas pérdidas en AC.
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Las conexiones entre los MOSFETs utilizan cobre de bajas pérdidas, lo que, además de reducir las mismas, ayuda a que se distribuya el calor. |
Chip específico para activar MOSFETs de International Rectifier. |
El MOSFET de lado alto (ControlFET) tiene una resistencia de puerta muy baja. El MOSFET de lado bajo (SyncFET) tiene un diodo Schottky integrado para una mayor eficiencia si cabe. |
La corriente recorre un camino muy pequeño desde la parte inferior del dispositivo, bien a través del ControlFET (ciclo de trabajo ON) o del SyncFET (ciclo de rabajo OFF) y a través del clip de cobre. Este es otro de los motivos por el que el dispositivo dura tanto y puede soportar 60A. |
El leadframe de cobre, hecho a medida, extrae el calor del silicio. |
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Diseño traditional de la zona de potencia de la CPU |
Controlador PWM |
Drivers MOSFET |
MOSFETs de lado
alto/bajo tradicionales |
Bobina de
choke |
Condensador |
CPU |
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Preguntas y respuestas acerca de la zona de potencia de la CPU
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¿Qué es la zona de potencia de la CPU?
La zona de potencia de la CPU contiene los diversos componentes de una placa base que se encargan de suministrar potencia a la CPU (controlador PWM, circuitos de activación de los MOSFETs, MOSFETs de lado alto/bajo, chokes, condensadores y toda la circuitería asociada).
¿Qué es un MOSFET?
Es uno de los componentes más críticos de la zona de potencia de la CPU, puesto que es un conmutador que se encarga de permitir o no que la corriente eléctrica fluya hasta la CPU en primer lugar. Dicha conmutación está dirigida por el circuito de activación del MOSFET (driver) y el controlador PWM. También es uno de los elementos más caros de la zona de potencia.
¿Qué es una etapa de potencia?
Una etapa de potencia es un chip que incluye el circuito de activación de los MOSFETs, un MOSFET de lado alto y dos (a veces sólo uno) MOSFETs de lado bajo. Las etapas de potencia se fabrican gracias a un proceso más avanzado de manufactura, lo que las convierte en más eficientes.
¿Qué es un MOSFET "tradicional" (también conocido como MOSFET D-Pak...)?
Un MOSFET "tradicional" tiene un diseño menos avanzado y se usa en zonas de potencia de CPU donde el driver y los MOSFETs están cada uno en un chip (diseño multi-chip), que son más baratas pero menos eficientes que las etapas de potencia en un solo chip. |
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Diseño en un único encapsulado |
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IR ha reaprovechado su tecnología de encapsulamiento, reputada a nivel mundial y desarrollada para su DirectFET®, mejorando de manera significativa la capacidad térmica y el layout del PowIRstage® en relación a otros encapsulados para módulos multichip. |
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Diseño en un único encapsulado* |
vs. |
Diseño multi-chip |
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| Driver |
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| *Pendiente de Patente |
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Otros diseños utilizan un chip para cada componente, colocando los MOSFETs de lado alto y bajo uno frente al otro y junto al driver, ocupando un área significativa dentro de la placa y generando mayores pérdidas eléctricas. |
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MOSFET de lado alto
(MOSFET tradicional) |
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MOSFET de lado bajo
(MOSFET tradicional) |
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Driver
(Driver para el MOSFET) |
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| Temperatura inferior, Eficiencia superior, Rendimiento superior |
| Alta eficiencia = Bajas pérdidas de potencia = Menos calor = Mayor esperanza de vida |
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Los chips IR3550 PowIRstage® de IR se calientan menos que otros diseños MOSFET, lo que permite que los usuarios hagan overclocking y obtengan mayores niveles de rendimiento.
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MOSFET tradicional
Muestra comparativa |
Diseño con MOSFETs de bajo RDS (on)
hasta 40°C menos |
IR3550 PowIRstage®
hasta 60°C menos |
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Pasable |
Bueno |
Mejor |
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* Resultados de tests usados sólo como referencia. Los resultados pueden variar en función de la configuración del sistema.
* Hasta 60° C menos de temperatura obtenidos en laboratorio usando un IR3550 PowIRstage® de cuatro fases con 2X Copper PCB comparado con un MOSFET D-Pak de 4 fases con una carga de 100A, sin disipador y durante 10 minutos. |
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Los chips IR3550 PowIRstage® se calientan menos que otros diseños MOSFET, lo que permite que los usuarios hagan overclocking y obtengan mayores niveles de rendimiento. En general, todos los componentes tienen una temperatura máxima de funcionamiento y, una vez que se alcanza, subir la tensión únicamente produce fallos en el overclock. Puesto que los IR3550 PowIRstages® pueden funcionar a temperaturas más bajas y tensiones más altas que los diseños tradicionales, los overclockers tiene más margen para jugar con el voltaje y en potencia conseguir mejores resultados. |
Menor temperatura = Mejores overclocks |
Estabilidad del overclocking en relación a los MOSFETs |
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Sobrecalentamiento |
Sin potencia suficiente
para overclocking
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IR3550
PowIRstage® |
Mejor |
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Diseño con MOSFETs de bajo RDS (on)
(También conocido como WPAK, MOSFET PowerPAK...) |
Bueno |
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MOSFET tradicional
(También conocido como MOSFET D-Pak... ) |
Pasable |
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Componentes especiales para corrientes altas |
Las placas base Ultra Durable™ 5 de GIGABYTE incluyen etapas de potencia de alta capacidad y bobinas de choke con núcleo de ferrita homologadas hasta 60A junto con nuestro exclusivo 2x Copper PCB para proporcionar el suministro de potencia más estable. |
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Etapas de potencia de
alta capacidad a 60A
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Bobinas de choke de alta
capacidad a 60A con núcleo de ferrita |
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* Las especificaciones reales de los componentes pueden variar según el modelo. |
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| Calidad por dentro y por fuera |
Aun cuando varios de los componentes de alta calidad utilizados en las placas base Ultra Durable™ de GIGABYTE no son visibles desde el exterior, como por ejemplo los eficientes chips IR3550 PowIRstage de International Rectifier y el cobre dentro de nuestro 2X Copper PCB, huelga decir que están trabajando duro para proporcionar una mejor eficiencia, mayores ahorros energéticos, menores temperaturas de funcionamiento, mejor rendimiento en overclocking y una mayor longevidad para el sistema. Esa es la garantía Ultra Durable™ de GIGABYTE.
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PCB (Placa de circuito impreso, Printed Circuit Board)
2x copper PCB = PCB con 2 oz de cobre (56,70g) = masa de la capa de cobre
Un PCB de 30,48 cm x 30,48 cm tiene 56,70g de cobre
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Capa de cobre |
Espesor |
2x cobre |
0,070mm(70 µm) |
1x cobre |
0,035mm(35 µm) |
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Alta capacidad
Núcleo de ferrita
Bobinas |
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Condensador sólido |
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Etapa de potencia |
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2X Cobre
Capa interna |
Capa de señal |
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Capa de Alimentación |
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Nueva fibra de vidrio |
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Capa de tierra |
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Capa de señal |
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Los beneficions de un diseño de PCB con 56,70g (2oz) de cobre
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| Menor temperatura |
Mejor
Overclocking |
Mejor Eficiencia
Energética |
2x menor impedancia |
Menor EMI |
Mejor Protección
ESD |
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El exclusivo diseño 2X Copper PCB de GIGABYTE proporciona un número suficiente de pistas de potencia entre componentes para asumir demandas de potencia mayores de lo normal y para, algo crítico, extraer calor de la zona que suministra directamente a la CPU. Esto es esencial de cara a asegurar que la placa base es capaz de manejar correctamente el aumento de demanda energética que supone el overclocking. |
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Ultra Durable™ 4 -
Pida placas base Ultra Durable en su próximo PC |
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Diseño con MOSFETs de bajo RDS (on) |
Quality Components make Quality Motherboards |
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Parte de atrás de la placa |
Front side of MB |
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True Digital PWM B
for Memory and VTT |
True Digital PWM A
for CPU and Intel® HD Graphics |
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Placas base Ultra Durable™, de GIGABYTE
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Desde mediados de 2011, el conjunto de placas base de GIGABYTE ha abandonado el uso de MOSFETs D-Pak para el diseño de la zona de potencia de la CPU
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MOSFET tradicional
Muestra comparativa |
MOSFET con menor RDS(on)
hasta 40°C menos |
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Temperaturas altas |
Temperaturas bajas |
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* Resultados de tests usados sólo como referencia. Los resultados pueden variar en función de la configuración del sistema.
* Hasta 60° C menos de temperatura obtenidos en laboratorio usando un IR3550 PowIRstage® de cuatro fases con 2X Copper PCB comparado con un MOSFET D-Pak de 4 fases con una carga de 100A, sin disipador y durante 10 minutos. |
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MOSFET con menor RDS(on)
(También conocido como WPAK, MOSFET PowerPAK...) |
Mayor coste |
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Buena eficiencia
Temperatura baja
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MOSFET tradicional
(También conocido como MOSFET D-Pak... ) |
Menor coste |
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Baja eficiencia
Temperatura alta
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MOSFET con menor RDS(on)
(También conocido como WPAK, MOSFET PowerPAK...) |
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8 pins
4 dcha, 4 izda |
MOSFET tradicional (También conocido como MOSFET D-Pak...) |
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La proporcion en el tamaño de los objetos es una constante |
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Menor temperatura = Mejores overclocks |
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Sobrecalentamiento |
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Sin potencia suficiente
para overclocking
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2X Copper en el PCB |
El diseño GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 se caracteriza por incorporar el doble de cobre que una placa tradicional, tanto para las capas de alimentación como para las capas de tierra, reduce drásticamente la temperatura del sistema ofreciendo una difusión más eficiente del calor de las áreas críticas de la placa como la zona de la CPU a través del todo el PCB. GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 también reduce la impedancia del PCB en un 50%, lo que ayuda a reducir el desperdicio eléctrico y obtener menores temperaturas en los componentes. Un diseño 2X en las capas de cobre también ofrece una calidad de señal mejorada y un menor EMI (Interferencias electromagnéticas), proporcionando una mejor estabilidad del sistema y mayores márgenes para el overclocking.
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Núcleo de ferrita Bobinas |
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50,000 hr.
Japoneses Condensadores Sólidos
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Baja RDS(on)
Baja RDS(on) |
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2X Cobre
Capa interna |
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PCB (Printed Circuit Board)
2x cobre PCB = 2 oz cobre PCB = peso de la capa
de cobre
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB is 56.7 g (2 oz)
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Capa de cobre |
Espesor |
2x cobre |
0.070mm (70 µm) |
1x cobre |
0.035mm (35 µm) |
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Beneficios de 2x Cobre en el PCB
• Más frías respecto placas base tradicionales
• Mayor durabilidad
• Mejor eficiencia energética
• Mayores márgenes de overclocking |
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| Menor temperatura |
Mejor
Overclocking |
Mejor Eficiencia
Energética |
2x menor impedancia |
Menor EMI |
Mejor Protección
ESD |
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Protección de humedad |
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| Nuevo PCB Glass Fabric |
La tecnología PCB Glass Fabric utiliza un nuevo material PCB que reduce el espacio entre los tejidos de fibra, dificultando enormemente la entrada de humedad en relación a las placas base con PCBs tradicionales. Esto supone una mayor protección ante cortocircuitos y fallos del sistema causados por humedad ambiental. |
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Nuevo PCB Glass Fabric |
Tradicional PCB Glass Fabric |
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